铠侠BiCS9样品暗藏玄机：老工艺榨出61%写入性能暴增，AI存储战局生变

   2025年7月末的存储行业，一场静水深流的技术变革正在铠侠的实验室里发酵。当同行追逐堆叠层数竞赛时，铠侠突然抛出一颗“逆潮流”的炸弹——基于老款BiCS5改造的第九代512GbTLC闪存样品悄然交付核心客户。官方宣称其写入性能飙升61%、能效提升36%的背后，是存储巨头在AI算力时代下对成本与效率的重新定义。

   拆解技术路线图可见，BiCS9本质是铠侠“双轨战略”的务实落子。与直奔218层堆叠的BiCS8和下一代BiCS10不同，BiCS9选择将成熟的120层BiCS5阵列芯片，通过CBA技术键合到全新设计的CMOS外围电路上。这种类似芯片拼装的模式，让存储单元与逻辑电路分别在最优工艺下制造，既规避了先进制程的高成本，又通过外围电路的提速设计实现接口速率冲上3.6Gbps，实验室环境下甚至摸到4.8Gbps门槛。

   实测数据揭示了更残酷的真相：相比自家162层的BiCS6同容量芯片，新品的平面微缩技术令位密度提升8%，读取能效拔高27%。这相当于用三年前的老架构，打出了碾压现役产品的能耗比。某数据中心供应商工程师透露：“GPU集群在向量数据库检索时常被存储延迟卡脖子，而铠侠演示中36%的写入能效优化，直接关联到机柜级年省数十万电费的可能性。”

   值得玩味的是时机选择。就在BiCS9送样前三天，铠侠刚发布全球首款245.76TBQLC固态硬盘，瞄准生成式AI训练的海量数据湖需求。而BiCS9锁定的却是中低容量市场，特别是需要平衡性能与功耗的AI推理场景。这种高低搭配暗示了其战略意图——用QLC吞食数据洪流，用改造版TLC抢夺实时计算市场。

   产业链消息源指出，该芯片已进入企业级SSD适配阶段，首批搭载产品将重点优化GPU显存与闪存间的数据调度效率。当英伟达HBM供应吃紧、三星推迟HBM4量产之际，铠侠在存储介质层的提速降耗，或为AI服务器提供新的缓冲方案。不过也有分析师警告，4.8Gbps的演示速率依赖特定测试环境，实际量产品能否在高温、高干扰的服务器机箱内维持稳定，仍是悬而未决的挑战。