璞璘科技交付首台国产纳米压印光刻机突破10nm线宽壁垒

   8月初的杭州，一条消息在半导体行业激起波澜：璞璘科技正式向国内客户交付首台半导体级步进式纳米压印光刻系统PL-SR。这台设备的意义不在于体积，而在于其精细度——它实现了平均残余层厚度低于10纳米、变化幅度控制在2纳米以内、结构深宽比突破7:1的技术指标，标志着国产设备首次具备10纳米以下线宽的制造能力。

   走进璞璘科技的研发中心，工程师们正对设备进行最终调试。技术负责人指着一块晶圆解释：“传统光刻像用笔画图案，而我们如同用纳米级印章压印，从中心向外自然延展，气泡无处藏身。”这种独特的压印方式源于其弹性体压印头专利技术，通过真空调节形成中心凸面，脱模时边缘优先分离，将良品率提升至98%以上。正是这些看似微小的创新积累，让国产半导体设备在纳米级竞赛中迈出了关键一步。

   璞璘科技的名字在业内并不张扬，但背景却值得关注。公司首席科学家葛海雄师从纳米压印技术发明人周郁院士，团队深耕该领域二十余年。2023年获得峰瑞资本数千万元天使轮投资后，璞璘加速推进技术产业化。此次交付的PL-SR设备已通过存储芯片、硅基微显示器、硅光芯片及先进封装等领域的验证，其独创的模板拼接技术可在12英寸晶圆上实现20mm×20mm模板的均匀拼接。

   纳米压印技术自1995年诞生之初，就被视为光刻技术的替代方案。与动辄数亿美元的光刻机相比，纳米压印设备成本更低，工艺更简单，且在制造复杂三维结构时具备天然优势。国际巨头早已布局：日本佳能已将该技术应用于15nm制程的3DNAND存储芯片生产，SK海力士也计划今年引入产线。璞璘的突破意味着中国首次在这一赛道获得话语权。

   业内观察人士指出，纳米压印技术特别适合存储芯片制造，而这正是国内亟需突破的领域。璞璘团队此前已展示过8nm周期、4nm线宽的实验室成果，证明该技术具备应对更小线宽的潜力。不过从首台交付到大规模量产仍需跨越诸多障碍。一位参与测试的工程师坦言：“就像在头发丝上雕刻万里长城，每次压印的力度控制、气泡排除都需要极致精准。”

   随着量子芯片、光子芯片等新型半导体技术兴起，纳米压印的应用场景正在拓宽。璞璘科技同步布局的三十余种压印材料体系，为AR/VR微显示器、生物芯片等前沿领域埋下伏笔。首台设备的交付不是终点，而是中国在纳米制造装备领域自主创新的新起点——当更多行业用上国产纳米压印设备制造芯片时，这项突破的重量才会被真正感知。