CoWoP封装引爆芯片界：去基板化变革背后的国产链突围

   在英伟达GB100芯片的测试台上，一组工程师正用显微镜检查金属凸点的熔合状态——这是CoWoP（ChiponWaferonPCB）封装技术首次在超级芯片上的功能验证。与传统方案不同，载具中看不到独立的有机基板，取而代之的是布满微电路的HDI级PCB板。距离测试台万里之外，分析师郭明錤更新了预测报告，将“2028年量产”的结论标为鲜红的“乐观情境”，暗示这场封装革命的通关之路远比表面艰难。

   所谓CoWoP，本质是当下主流CoWoS封装技术的变体。其核心突破在于直接砍掉底层基板，让搭载芯片的硅中介层与高精度PCB面对面键合。这种“去基板化”设计可使模组减薄30%，成本直降50%，但对PCB平整度要求严苛至微米级。知情人士透露，英伟达GB100的八月测试主要验证热膨胀系数匹配性，若PCB翘曲超过5μm，十万次通断电后焊点就可能断裂。

   产业链最激烈的博弈藏在材料领域。为满足CoWoP需求，PCB厂商被迫研发CTE（热膨胀系数）小于5ppm的顶级基材，而传统服务器板CTE普遍在15ppm以上。日本松下去年就交付了实验性M9材料，但每平方米报价高达6000美元。国内台光电子则用M9+石英布的组合方案突围，通过掺入陶瓷填料将CTE压到4.8ppm，成本控制在外资方案的60%。这种近乎偏执的参数竞赛，实则是为抢占2028年RubinUltra芯片的船票。

   郭明錤的保守预测戳中技术转移的暗礁。硅中介层与PCB的接合需依赖微凸块技术，当前英伟达要求焊球间距≤40μm，而多数PCB厂量产水平仍在55μm徘徊。更棘手的是维修性——传统CoWoS封装中基板可单独更换，但CoWoP一旦键合就成整体，某个HBM芯片故障会导致整板报废。台积电内部评估显示，若采用现有方案，GR150超级芯片的良率将骤降30个百分点。

   国产供应链却嗅到超车机会。当欣兴电子等台系厂商因良率问题被英伟达排除在GB300供应链外时，沪电股份在昆山砸下40亿元改建HDI产线，其六阶HDI板已实现35μm线宽，足以承接CoWoP的精细走线需求。更激进的胜宏科技甚至将MSAP工艺良率提升至82%，拿下GB300中ComputerTray七成份额。这些看似分散的技术跃进，正构成替代海外基板生态的拼图。

   正交背板技术的突进更暴露海外厂商的软肋。为满足NVL576机柜的112Gbps传输要求，传统覆铜板需升级HVLP5铜箔。日本电工的解决方案是压薄铜层至2μm，但加工良率不足30%；而光华科技另辟蹊径开发PTFE介质层，在10微米厚度下实现信号损耗降低40%，尽管加工时需在无尘室控制0.5℃温漂。这种非常规路径，恰是国产链突破技术封锁的缩影。

   看着嘉义科学园区的台积电CoWoS工厂奠基仪式，某封装设备供应商坦言：“台积电嘴上押注CoPoS，私下却要求我们开发兼容CoWoP的贴装头。”这种战略摇摆暗示着技术路线的未定之局。而大陆PCB厂里，工人们正在无尘车间调试激光钻孔机——这些价值千万的设备参数里，藏着郭明錤预测之外的可能性。